數(shù)字式四探針測試儀 半導(dǎo)體材料電阻性能測試儀 單晶硅物理測試儀 半導(dǎo)體材料電阻率檢測儀 方塊電阻薄層電阻測試儀
型號ZD03-8
8型數(shù)字式四探針測試儀 半導(dǎo)體材料電阻性能測試儀 單晶硅物理測試儀 半導(dǎo)體材料電阻率檢測儀 方塊電阻薄層電阻測試儀是運用四探針測量原理的多用途綜合測量設(shè)備。該儀器按照單晶硅物理測試方法國家標(biāo)準(zhǔn)并參考美國A.S.T.M標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計的，于測試半導(dǎo)體材料電阻率及方塊電阻(薄層電阻)的儀器。
儀器由主機、測試臺、四探針探頭、計算機等部分組成，測量數(shù)據(jù)既可由主機直接顯示，亦可由計算機控制測試采集測試數(shù)據(jù)到計算機中加以分析，然后以表格，圖形方式統(tǒng)計分析顯示測試結(jié)果。
儀器采用了電子技術(shù)進行設(shè)計、裝配。具有功能選擇直觀、測量取數(shù)快、精度高、測量范圍寬、穩(wěn)定性好、結(jié)構(gòu)緊湊、易操作等特點。
本儀器適用于半導(dǎo)體材料廠、半導(dǎo)體器件廠、科研單位、高等院校對半導(dǎo)體材料的電阻性能測試。
8型數(shù)字式四探針測試儀 半導(dǎo)體材料電阻性能測試儀 單晶硅物理測試儀 半導(dǎo)體材料電阻率檢測儀 方塊電阻薄層電阻測試儀是運用四探針測量原理的多用途綜合測量設(shè)備。該儀器按照單晶硅物理測試方法國家標(biāo)準(zhǔn)并參考美國A.S.T.M標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計的，于測試半導(dǎo)體材料電阻率及方塊電阻(薄層電阻)的儀器。
儀器由主機、測試臺、四探針探頭、計算機等部分組成，測量數(shù)據(jù)既可由主機直接顯示，亦可由計算機控制測試采集測試數(shù)據(jù)到計算機中加以分析，然后以表格，圖形方式統(tǒng)計分析顯示測試結(jié)果。
儀器采用了電子技術(shù)進行設(shè)計、裝配。具有功能選擇直觀、測量取數(shù)快、精度高、測量范圍寬、穩(wěn)定性好、結(jié)構(gòu)緊湊、易操作等特點。
本儀器適用于半導(dǎo)體材料廠、半導(dǎo)體器件廠、科研單位、高等院校對半導(dǎo)體材料的電阻性能測試。
技 術(shù) 指 標(biāo)：
測量范圍電阻率：10-4～105Ω.cm(可擴展)；
方塊電阻：10-3～106Ω/□(可擴展)；
電導(dǎo)率：10-5～104s/cm；
電阻：10-4～105Ω；
可測晶片直徑140mmX150mm(配S-2A型測試臺)；
200mmX200mm(配S-2B型測試臺)；
400mmX500mm(配S-2C型測試臺)；
恒流源電流量程分為1μA、10μA、100μA、1mA、10mA、100mA六檔，各檔電流連續(xù)可調(diào)
數(shù)字電壓表量程及表示形式：000.00～199.99mV；
分辨力：10μV；
輸入阻抗：>1000MΩ；
精度：±0.1%；
顯示：四位半紅色發(fā)光管數(shù)字顯示；極性、超量程自動顯示；
四探針探頭基本指標(biāo)間距：1±0.01mm；
針間絕緣電阻：≥1000MΩ；
機械游移率：≤0.3%；
探針：碳化鎢或高速鋼Ф0.5mm；
探針壓力：5～16牛頓(總力)；
四探針探頭應(yīng)用參數(shù)(見探頭附帶的合格證)
模擬電阻測量相對誤差
(按JJG508-87進行)0.01Ω、0.1Ω、1Ω、10Ω、100Ω、1000Ω、10000Ω≤0.3%±1字
整機測量zui大相對誤差(用硅標(biāo)樣片：0.01-180Ω.cm測試)≤±5%
整機測量標(biāo)準(zhǔn)不確定度≤5%
計算機通訊接口并口
標(biāo)準(zhǔn)使用環(huán)境溫度：23±2℃；
相對濕度：≤65%；
無高頻干擾；
無強光直射；
