PECVD開啟式管式爐系統(tǒng)在真空壓力下，加在電感線圈的射頻電場(chǎng)，使反應(yīng)室氣體發(fā)生輝光放電，在輝光發(fā)電區(qū)域產(chǎn)生大量的電子。這些電子在電場(chǎng)的作用下獲得充足的能量，其本身溫度很高，它與氣體分子相碰撞，使氣體分子活化。它們吸附在襯底上，并發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成介質(zhì)膜，副產(chǎn)物從襯底上解吸，隨主氣流由真空泵抽走，稱為等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉(PECVD)。

PECVD開啟式管式爐系統(tǒng)由開啟式管式爐、高真空分子泵系統(tǒng)、射頻電源系統(tǒng)及多通道高精度數(shù)字質(zhì)量流量控制系統(tǒng)組成，是實(shí)驗(yàn)室生長(zhǎng)薄膜石墨烯，金屬薄膜，陶瓷薄膜，復(fù)合薄膜等的理想選擇。

PECVD開啟式管式爐系統(tǒng)主要功能和特點(diǎn)：

1、PECVD具有基本溫度低、沉積速率快、成膜質(zhì)量好、針孔較少、不易龜裂等；

2、PECVD工藝中由于等離子體中高速運(yùn)動(dòng)的電子撞擊到中性的反應(yīng)氣體分子，就會(huì)使中性反應(yīng)氣體分子變成碎片或處于激活的狀態(tài)容易發(fā)生反應(yīng)；

3、借助射頻等使含有薄膜組成原子的氣體，在局部形成等離子體，而等離子體化學(xué)活性很強(qiáng)，很容易發(fā)生反應(yīng)，在基片上沉積出所期望的薄膜；

4、高真空系統(tǒng)由雙級(jí)旋片真空泵和分子泵組成，zui高真空可達(dá)0.001Pa；

5、數(shù)字質(zhì)量流量控制系統(tǒng)是由多路質(zhì)量流量計(jì)，流量顯示儀等組成，實(shí)現(xiàn)氣體的流量的精密測(cè)量和控制；

6、每條氣體管路均配備高壓逆止閥，保證系統(tǒng)的安全性和連續(xù)均勻性；

7、采用KF快速法蘭密封，裝卸方便快捷；

8、管路采用世界*Swagelok卡套連接，不漏氣；

9、超溫、過壓時(shí)，自動(dòng)切斷加熱電源及流量計(jì)進(jìn)氣，使用安全可靠。

PECVD開啟式管式爐系統(tǒng)主要用途：

高校、科研院所用于真空鍍膜、納米薄膜材料制備，生長(zhǎng)薄膜石墨烯，金屬薄膜，陶瓷薄膜，復(fù)合薄膜等，也可作為擴(kuò)展等離子清洗刻蝕使用。

PECVD開啟式管式爐系統(tǒng)技術(shù)參數(shù)：

SKGL-1200

開啟式管式爐

控溫方式

采用人工智能調(diào)節(jié)技術(shù)，具有PID調(diào)節(jié)、自整定功能，并可編制30段升降溫程序。

加熱元件

0Cr27Al7Mo2

工作電源

AC220V 50Hz/60Hz

額定功率

4kw

爐管材質(zhì)

高純石英管

爐管尺寸

Φ60/Φ80*1200mm

工作溫度

≤1150℃

zui高溫度

1200℃

恒溫精度

±1℃

恒溫區(qū)

200mm

升溫速度

≤10℃/min

密封方式

不銹鋼快速法蘭擠壓密封

ZK-F

分子泵真空系統(tǒng)

真空范圍

0.1-0.001Pa

極限真空

4.0*10^-4Pa

產(chǎn)品配置

雙級(jí)旋片真空泵+分子泵

測(cè)量方式

復(fù)合真空計(jì)

真空規(guī)管

電阻規(guī)+電離規(guī)

冷卻方式

風(fēng)冷

工作電源

AC220V 50/60HZ

抽速

110L/S

射頻電源系統(tǒng)

射頻功率輸出范圍

5~500W

射頻頻率

13.56MHz±0.005%

噪聲

≤55DB

冷卻方式

風(fēng)冷

功率溫定度

± 0.1%

HQZ-Ⅳ

混氣系統(tǒng)

流量規(guī)格

0－200sccm （可根據(jù)客戶需要配置）

線性

±1.5%F.S

準(zhǔn)確度

±1.5%F.S

重復(fù)精度

±0.2%F.S.

響應(yīng)時(shí)間

≤8sec

耐壓

3MPa

氣路通道

4通道（根據(jù)客戶需求）

針閥

316不銹鋼

管道

Φ6mm不銹鋼管

接口

SwagelokΦ6mm