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價格電議
霍爾效應測試儀 ITO 薄膜測試案例
霍爾效應測試儀 ITO 薄膜測試案例
上海伯東某科研客戶霍爾效應測試案例一
樣品: ITO 氧化銦錫, 標記為 ITO1, ITO2, ITO3
樣品薄膜厚度: 60 - 100 nm
樣品尺寸: 10 * 10 mm
實驗內容: 載流子濃度, 類型, 霍爾遷移率, 方塊電阻
實驗儀器: 上海伯東英國 NanoMagnetics ezHEMS 霍爾效應測試儀
電阻率: 10-4 至 109 Ω-cm ( 樣本依賴 ) |
測試溫度和磁場溫度: 300K RT 1 Tesla
* 在測試開始前, 儀器均經過標準樣品校驗. 所有樣品根據 ASTM 標準.
樣品 ITO1 測試結果:
I-V 測量結果
VdP 測量結果
測量頭類型: RT Head; 磁場: 9677G; 厚度: 80nm
部分測試結論:
1. 得到的電阻值彼此相容.
2. 所有的IV 曲線都是線性的
3. 所有樣本都是歐姆的,統一的,均勻的.
4. Van der Pauw 測試為了保證準確性, 測試了2次, 測試結果是相同的.
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