霍爾離子源 eH 提供一套完整的方案包含離子源, 電子中和器, 電源供應(yīng)器, 流量控制器 MFC 等等可以直接整合在各類真空設(shè)備中, 例如鍍膜機, load lock, 濺射系統(tǒng), 卷繞鍍膜機等

型號

eH400

eH1000

eH2000

eH3000

eH Linear

中和器

F or HC

F or HC

F or HC

F or HC

F

陽極電壓

50-300 V

50-300 V

50-300 V

50-250 V

50-300 V

離子束流

5A

10A

10A

20A

根據(jù)實際應(yīng)用

散射角度

>45

>45

>45

>45

>45

氣體流量

2-25 sccm

2-50 sccm

2-75 sccm

5-100 sccm

根據(jù)實際應(yīng)用

本體高度

3.0“

4.0“

4.0“

6.0“

根據(jù)實際應(yīng)用

直徑

3.7“

5.7“

5.7“

9.7“

根據(jù)實際應(yīng)用

水冷

可選

可選

是

可選

根據(jù)實際應(yīng)用

F = Filament; HC = Hollow Cathode; xO2 = Optimized for O2 current

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領(lǐng)域, 上海伯東是美國考夫曼離子源中國總代理.

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