上海伯東代理美國(guó) 進(jìn)口 KRI 霍爾離子源 eH200 是霍爾離子源型 eH 系列中尺寸最小, 低成本設(shè)計(jì)離子源. 霍爾離子源 eH200 適用于小型真空腔內(nèi), 例如研發(fā)分析, 薄膜沉積和離子清洗. 霍爾離子源 eH200 操作簡(jiǎn)單是理想的生產(chǎn)工具.

型號(hào)

eH 200

供電

DC magnetic confinement

 - 電壓

40-300V VDC

 - 離子源直徑

~ 2 cm

 - 陽(yáng)極結(jié)構(gòu)

模塊化

電源控制

eHx-3005A

配置

-

 - 陰極中和器

Filament or Hollow Cathode

 - 離子束發(fā)散角度

> 45° (hwhm)

 - 陽(yáng)極

標(biāo)準(zhǔn)或 Grooved

 - 水冷

無(wú)

 - 底座

移動(dòng)或快接法蘭

 - 高度

2.0'

 - 直徑

2.5'

 -加工材料

金屬
電介質(zhì)
半導(dǎo)體

 -工藝氣體

Ar, Xe, Kr, O2, N2, Organic Precursors

 - 安裝距離

6-24”

 - 自動(dòng)控制

控制4種氣體

* 可選: 可調(diào)角度的支架; Filamentless; Sidewinder

KRI 霍爾離子源 eH 200 應(yīng)用領(lǐng)域：
濺鍍和蒸發(fā)鍍膜 PC
輔助鍍膜(光學(xué)鍍膜)IBAD
表面改性, 激活 SM
直接沉積 DD

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