具采用的密封充氣紫外光學(xué)系統(tǒng)和OPI水平觀測等離子光學(xué)接口完成消除水平觀測時(shí)尾焰的影響、全譜CCD技術(shù)和多視角等離子體定位等新技術(shù)，有高靈敏度、高精度以及波長范圍寬（130nm-770nm) 等特性，在ICP-OES 領(lǐng)域開拓了全新的應(yīng)用，可分析包括ppm級鹵素在內(nèi)的73個(gè)金屬和非金屬元素

主要特點(diǎn)
1.一維色散＋32個(gè)CCD檢測器設(shè)計(jì)，檢測器無需超低溫冷卻，無需氬氣吹掃保護(hù)
2.全波長覆蓋，*為130－770nm的波長范圍，*可以分析ppm級鹵素
3.密閉充氬循環(huán)光路系統(tǒng)，檢測190nm以下譜線，無需氣體吹掃
4.3秒實(shí)現(xiàn)真正全譜數(shù)據(jù)采集，分析速度zui快
5.所有氣體流量采用質(zhì)量流量計(jì)計(jì)算機(jī)控制，矩管位置3維步進(jìn)馬達(dá)計(jì)算機(jī)控制自動化程度高

技術(shù)參數(shù)：
光學(xué)系統(tǒng)
焦距：0.75米
光譜范圍：130nm – 770nm
光柵：三光柵
- 3600線/毫米 （130nm – 175nm）
- 3600線/毫米 （175nm – 340nm）
- 1800線/毫米 （340nm – 770nm）
光譜級次：全波長一級光譜
32個(gè)線性CCD連續(xù) 排列在羅蘭圓上
每個(gè)CCD的像素?cái)?shù)：3648
分辨率：8.5pm （恒定不變）
光室密閉充氬，無需吹掃（驅(qū)氣）和抽真空
光室恒溫: 15℃ （ 0.1 ℃）
- 開機(jī)即可使用
- 測量130nm – 190nm波段方便快捷
信號檢測與讀出系統(tǒng)
32個(gè)線性陣列CCD
工作溫度：15 ℃ （ 0.1 ℃），無須制冷，
無須吹掃保護(hù)性氣流
超高速數(shù)據(jù)讀?。弘pCPU，平行數(shù)據(jù)讀出
*的動態(tài)范圍：108
zui短積分時(shí)間：0.1ms
可進(jìn)行瞬時(shí)信號的測量：與LC、HPLC等聯(lián)機(jī)成為真正可能
決無“溢出”現(xiàn)象
長壽命
等 離 子 體
自激式固態(tài)發(fā)生器和電源
頻率：27.12MHz
功率：750 - 1700W
功率穩(wěn)定性：<0.1%
風(fēng)冷
全自動控制，功率連續(xù)可調(diào)
耦合效率高
等離子體觀測方式
1、等離子體水平放置，軸向觀測
可有效提高儀器的靈敏度10倍，尤其對于激發(fā)電位較低的元素，如：Zn、K、Na
的OPI技術(shù)
冷錐冷卻方式：水冷，冷卻效率高
計(jì)算機(jī)全自動控制冷錐與等離子體
的相對位置
氬氣反吹，在保證遠(yuǎn)紫外波段的光
效率前提下，冷錐和光路（包括透
鏡）無污染的可能
2、等離子體垂直放置，徑向觀測
等離子體垂直放置優(yōu)點(diǎn)：
不會燒炬管
減少基體干擾
減少進(jìn)樣系統(tǒng)沖洗時(shí)間
實(shí)驗(yàn)成本降低
分析速度快