產(chǎn)品用途：通過不同激光波長在半導體中的吸收距離和微區(qū)光電轉(zhuǎn)換，可以表征

　　光電子器件及太陽能電池微區(qū)的短路電流分布、表層缺陷、反射率等特性參數(shù)，

　　并通過橫向掃描（Mapping）形成圖像，以反應各種參數(shù)的平面均勻性，尤其是

　　晶界和位錯分布， 為光電子器件及太陽能電池的結(jié)構(gòu)優(yōu)化和工藝改進提供參考依

　　據(jù)。設備可應用于太陽能電池研究，GaAs、InP、GaN 光電子器件的研究。該設

產(chǎn)品用途：通過不同激光波長在半導體中的吸收距離和微區(qū)光電轉(zhuǎn)換，可以表征

　　光電子器件及太陽能電池微區(qū)的短路電流分布、表層缺陷、反射率等特性參數(shù)，

　　并通過橫向掃描（Mapping）形成圖像，以反應各種參數(shù)的平面均勻性，尤其是

　　晶界和位錯分布， 為光電子器件及太陽能電池的結(jié)構(gòu)優(yōu)化和工藝改進提供參考依

　　據(jù)。設備可應用于太陽能電池研究，GaAs、InP、GaN 光電子器件的研究。該設

　　備克服了大面積光照下I-V 測試與單點光譜測試的不對應性和不準確性，大大提

　　高了光電子器件診斷精度。

　　產(chǎn)品指標：

　?。?） 樣品尺寸：Max 200×160 mm2，Min 1×1 mm2

　　（2） 激光波長：532 和 980nm，也可根據(jù)材料的光吸收系數(shù)而自行選配

　　（3） 激光光斑：50μm/100μm 可選

　?。?） 測試電流范圍：1 μA–1 mA

　?。?） 測試模式：LBIC，LBIV，內(nèi)外量子效率，反射率，擴散長度，均為

　　mapping成像

　?。?） 掃描步長：0.05、0.1、0.2、0.5、1、2、4 mm（可根據(jù)實際需要自定

　　義）

　?。?） 掃描速度：15 points/s

　?。?） 可進行單點或連續(xù)掃描（mapping）測試