金屬熱蒸鍍?cè)O(shè)備 Metal Thermal Evaporation System
熱蒸發(fā)制程是用于沉積材料中簡(jiǎn)單的物理氣相沉積 PVD . 將材料 (金屬或者有機(jī)材料等) 置于真空環(huán)境中的電阻熱源中, 使其加熱并蒸發(fā), 以最直接的方式蒸發(fā)到基板上, 然后在基板上凝結(jié)成固態(tài)形成薄膜. 熱蒸發(fā)比濺鍍可以提供更快的蒸發(fā)速率. 上海伯東代理的金屬熱蒸鍍?cè)O(shè)備加裝美國(guó) KRI 離子源, 可以精準(zhǔn)的控制蒸發(fā)速度, 為客戶提供*的復(fù)合式薄膜, 且薄膜的厚度和均勻度小于+/- 3％, 廣泛應(yīng)用于納米薄膜, 太陽(yáng)能電池等行業(yè)以及金屬材料的研究等.

上海伯東金屬熱蒸鍍?cè)O(shè)備配置和優(yōu)點(diǎn)
客制化的基板尺寸, zui大直徑為 12寸晶圓或 470 x 370 mm
寬大的前開(kāi)式門, 并有兩個(gè)視窗和視窗遮版用于觀察基材和蒸發(fā)源
優(yōu)異的薄膜均勻度小于±3％
具有順序操作或共沉積的多個(gè)蒸發(fā)源
基板可加熱到 800°C
利用載臺(tái)旋轉(zhuǎn)來(lái)改善薄膜沉積品質(zhì)
基板至蒸發(fā)源的間距可調(diào)式
每個(gè)蒸發(fā)源和基材均有安裝遮板

上海伯東美國(guó) KRI 離子源可用于基板清潔和加速材料的蒸發(fā)速度, 并且離子源在材料沉積過(guò)程中可幫助沉積并使沉積后的薄膜更為致密.

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上海伯東: 羅先生