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解密鍍層工藝、解析鍍層結(jié)構(gòu)輝光放電光譜儀是解密鍍層工藝、解析鍍層結(jié)構(gòu)的強有力手段，可以通過元素變化獲得鍍層結(jié)構(gòu)、層間擴散、元素富集、表面處理、鍍層均一性等信息，從而改善工藝條件等
解密鍍層工藝、解析鍍層結(jié)構(gòu)
輝光放電光譜儀是解密鍍層工藝、解析鍍層結(jié)構(gòu)的強有力手段，可以通過元素變化獲得鍍層結(jié)構(gòu)、層間擴散、元素富集、表面處理、鍍層均一性等信息，從而改善工藝條件等。主要應(yīng)用行業(yè)有金屬冶金、半導(dǎo)體器件、LED芯片、薄膜太陽能電池、鋰電池陰陽、光學(xué)玻璃、核材料等。
GD-Profiler 2 作為快鍍層分析的理想工具，適合于導(dǎo)體和非導(dǎo)體復(fù)合鍍層的分析，操作簡單、便于維護，是鍍層材料研發(fā)、質(zhì)控的理想工具。
? 使用脈沖式射頻輝光源，可有效分析熱導(dǎo)性能差以及熱敏感的樣品。
技術(shù)參數(shù)：
1、射頻發(fā)生器-標準配置、復(fù)合D級標準、穩(wěn)定性高、濺射束斑為平坦、等離子體穩(wěn)定時間短，表面信息無任何失真。
儀器原理：
輝光放電腔室內(nèi)充滿低壓氬氣，當施加在放電兩的電壓達到一定值，超過激發(fā)氬氣所需的能量即可形成輝光放電，放電氣體離解為正電荷離子和自由電子。在電場的作用下，正電荷離子加速轟擊到（陰）樣品表面，產(chǎn)生陰濺射。在放電區(qū)域內(nèi)，濺射的元素原子與電子相互碰撞被激化而發(fā)光。
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