半導(dǎo)體分立器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀系統(tǒng)
陜西天士立科技有限公司/STD2000/半導(dǎo)體分立器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀系統(tǒng)可以測(cè)試Si,SiC,GaN & IGBT、Mosfet、Diode、BJT、SCR、OC/光耦......等很多電子元器件的靜態(tài)直流參數(shù)和IV曲線(xiàn)（如擊穿電壓V(BR)CES/V(BR)DSs、漏電流ICEs/lGEs/IGSs/lDSs、閾值電壓/VGE(th)、開(kāi)啟電壓/VCE(on)、跨導(dǎo)/Gfe/Gfs、壓降/Vf、內(nèi)阻Rds(on)）以及IV特性曲線(xiàn)等
一、產(chǎn)品信息及規(guī)格
產(chǎn)品型號(hào)：STD2000
產(chǎn)品名稱(chēng)：半導(dǎo)體分立器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀系統(tǒng)
主機(jī)尺寸：深660*寬430*高210(mm)
主機(jī)重量：＜35kg
主機(jī)功耗：＜300W
海拔高度：海拔不超過(guò) 4000m；
環(huán)境要求：-20℃～60℃（儲(chǔ)存）、5℃～50℃（工作）；
相對(duì)濕度： 20%RH～75%RH (無(wú)凝露，濕球溫度計(jì)溫度 45℃以下)；
大氣壓力：86Kpa～106Kpa；
防護(hù)條件：無(wú)較大灰塵，腐蝕或爆炸性氣體，導(dǎo)電粉塵等；
電網(wǎng)要求：AC220V、±10%、50Hz±1Hz；
工作時(shí)間：連續(xù)；
二、產(chǎn)品特點(diǎn)
三代半：優(yōu)秀的性能應(yīng)對(duì)第三代半導(dǎo)體及傳統(tǒng)器件，Si, sic,GaN 器件
測(cè)試品類(lèi)：覆蓋 25 類(lèi)常見(jiàn)的電子元器件及 IC 類(lèi)，且支持定制擴(kuò)展
功能豐富：輕松表征元器件“靜態(tài)特性”“IV 曲線(xiàn)”“Cxss”“CV”
分析篩選：功能全面，配置豐富，勝任實(shí)驗(yàn)室場(chǎng)景中各類(lèi)電參數(shù)表征
量產(chǎn)測(cè)試：1h高達(dá) 7K~12K 的測(cè)試效率，可連接“分選機(jī)”“編帶機(jī)”Prober 接口、16Bin
一鍵加熱：一鍵脈沖自動(dòng)加熱至+130°C，耗時(shí)< 1s
高壓源：1400V (選配2KV)
高流源：40A(選配100A,200A,500A)
驅(qū)動(dòng)電壓：20V/10uA~100mA (選配+40V/10uA~100mA)
漏電測(cè)量：1nA 漏電持續(xù)穩(wěn)定測(cè)量，表現(xiàn)出優(yōu)秀的一致性和穩(wěn)定性，更有1.5pA 微電流測(cè)量選件可供選擇。
高精度：16 位ADC/DAC，0.1%精度，1M/S 采樣速率
程控軟件：基于Lab VIEW 平臺(tái)開(kāi)發(fā)的填充式菜單軟件界面
夾具工裝：適配各類(lèi)封裝形式的器件，自動(dòng)識(shí)別器件極性 NPN/PNP
校準(zhǔn)：系統(tǒng)自帶校準(zhǔn)軟件，也可通過(guò)RS232 接口連接數(shù)字表進(jìn)行校驗(yàn)
三、測(cè)試范圍
01. Diode / 二極管（穩(wěn)壓、瞬態(tài)、三端 肖特基、TVS、整流橋、三相整流橋）
02. BJT / 三極管
03. Mosfet & JFET / 場(chǎng)效應(yīng)管
04. SCR / 可控硅（單向/雙向）
05. IGBT / 絕緣柵雙極大功率晶體管
06. OC / 光耦 07. Relay / 繼電器
08. Darlington tube / 達(dá)林頓陣列
09. Current sensor/電流傳感器
10. 基準(zhǔn) IC(TL431)
11. 電壓復(fù)位IC
12. 穩(wěn)壓器（三端/四端）
13. 三端開(kāi)關(guān)功率驅(qū)動(dòng)器
14. 七端半橋驅(qū)動(dòng)器
15. 高邊功率開(kāi)關(guān)
16. 電壓保護(hù)器（單組/雙組）
17. 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓集成器
18. 壓敏電阻
19.電壓監(jiān)控器
四、測(cè)試參數(shù)
漏電參數(shù)：IR、ICBO、LCEO/S/X、IDSS/X、IDOFF、IDRM、IRRM、ICOFF、IDGO、ICES、IGESF、IGESR、IEBO、IGSSF、IGSSR、IGSS、IGKO、IR(OPTO)
擊穿參數(shù)：BVCEO BVCES(300μS Pulse above 10mA)BVDSS、VD、BVCBO、VDRM、 VRRM、VBB、BVR 、VD+、VD-、BVDGO、BVZ、BVEBO、BVGSS、BVGKO
導(dǎo)通參數(shù)：VCESAT、VBESAT、VBEON、 VF、VT、VT+、VT-、VON、VDSON、VDON、VGSON、VF(Opto-Diode)VGSTH、VTM、VGETH、VSD、IDON、VSAT、 IDON、VO(Regulator)Notch = IGT1、IGT4、ICON、VGEON、IIN(Regulator)
關(guān)斷參數(shù)：VGSOFF
觸發(fā)參數(shù)：IGT、VGT
保持參數(shù)：IH、IH+、IH-
鎖定參數(shù)：IL、IL+、IL-
增益參數(shù)：hFE、CTR、gFS
間接參數(shù)：IL
混合參數(shù)：RDSON、gFS、Input@Output / Regulation
五、應(yīng)用場(chǎng)景
1、測(cè)試分析（功率器件研發(fā)設(shè)計(jì)階段的初始測(cè)試，主要功能為曲線(xiàn)追蹤儀）
2、失效分析（對(duì)失效器件進(jìn)行測(cè)試分析，查找失效機(jī)理。以便于對(duì)電子整機(jī)的整體設(shè)計(jì)和使用過(guò)程提出改善方案）
3、選型配對(duì)（在器件焊接至電路板之前進(jìn)行全部測(cè)試，將測(cè)試數(shù)據(jù)比較一致的器件進(jìn)行分類(lèi)配對(duì)）
4、來(lái)料檢驗(yàn)（研究所及電子廠的質(zhì)量部（IQC）對(duì)入廠器件進(jìn)行抽檢/全檢，把控器件的良品率）
5、量產(chǎn)測(cè)試（可連接機(jī)械手、掃碼槍、分選機(jī)等各類(lèi)輔助機(jī)械設(shè)備，實(shí)現(xiàn)規(guī)模化、自動(dòng)化測(cè)試）
6、替代進(jìn)口（半導(dǎo)體分立器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試儀系統(tǒng)可替代同級(jí)別進(jìn)口產(chǎn)品）
六、性能指標(biāo)
