FEI Prisma E SEM 掃描電子顯微鏡
結合了成像性能和的環(huán)境模式（Thermo Scientific ESEM™），同時兼容廣泛的硬件和軟件選型，可滿足多用戶實驗室的綜合應用需求。
Prisma E SEM 的三種真空模式（高真空、低真空和環(huán)境掃描模式【ESEM】）使得系統(tǒng)具有靈活性，可以容納任何 SEM 可用的廣泛的樣品類型，包括放氣的、未鍍導電膜的或者是與真空狀態(tài)不相容的樣品。
多種檢測器選項（定向背散射探測器、STEM、熒光探測器等）提供了所有必要的樣品信息。探測器信號同步采集和顯示，可以在較短的時間內提供答案。
主要優(yōu)勢
1、在自然狀態(tài)下對材料進行原位研究： Prisma E SEM提供的環(huán)境掃描模式（ESEM）。
2、較大程度縮短樣品制備時間：低真空和環(huán)境真空技術可針對不導電和/或含水樣品直接成像和分析，樣品表面無荷電累積。
3、觀察所有樣品獲取信息：在每種操作模式下均可同時進行SE和BSE成像。
4、原位分析：配置專門的原位實驗臺，溫度范圍從-165℃到1400℃。
5、*的分析功能：大樣品倉可同時安裝3個EDS探測器、WDS和共面EDS/EBSD，其中兩個EDS端口為180°正對。
6、*的不導電樣品分析功能：借助多級“穿過透鏡”的壓差真空系統(tǒng)，實現(xiàn)低真空下的高質量EDS 和 EBSD 分析。
7、高精度優(yōu)中.心樣品臺，105°傾斜角度范圍，可觀察樣品。
8、軟件直觀、簡便易用，配置用戶向導及 Undo（撤銷）功能，新手用戶可進行操作，專家用戶也可進行更少的操作，完成快速分析。
9、廣泛的配置選項，包括可伸縮的RGB熒光（CL）探測器、1100℃高真空熱臺、_Heater 和Autoscript（基于Python的腳本工具API）。
材料科學SEM
對于需要方位性能和易用性的多用戶實驗室而言，完整的SEM。
新型Prisma E掃描電子顯微鏡（SEM）將各種成像和分析模式與新的自動化相結合，為同類儀器提供完整的解決方案。它非常適用于需要高分辨率，樣品靈活性和易于使用的操作界面的工業(yè)研發(fā)，質量控制和故障分析應用。Prisma E成功獲得了為成功的Quanta SEM。
特色的成像
多用戶實驗室需要顯微鏡在短時間內生成具有相關數(shù)據(jù)的高質量圖像。Prisma E采用基于管組件的強大成像系統(tǒng)滿足了這一需求，可在各種光束能量和真空條件下提供好的結果。在所有這些條件下，地形圖和成像圖都提供必要的樣本信息。通過同步采集，該信息可供隨后進一步解釋和分析。
輕松導航
尋找感興趣的區(qū)域甚至找到樣品本身都是一項繁瑣的工作……但不是在Prisma E上。室內導航相機（Nav-Cam）提供樣品架的詳細照片，使其易于使用一個會話中的多個樣本并逐個導航到它們。在示例中，只需單擊它即可轉到感興趣的區(qū)域。導航凸輪圖像與樣本一起旋轉，因此導航非常直觀。
樣本靈活性
今天的研究超越了傳統(tǒng)金屬和涂層樣品 – 非導電材料，大型或重型樣品，臟樣品甚至濕樣品都需要在微觀尺度上進行研究。Prisma E具有三種成像模式 – 高真空，低真空和ESEM™ – 適用于任何SEM的廣泛樣品。此外，Prisma E的腔室適合大樣品，并配備110×110 mm 5軸電動中.心平臺，傾斜范圍為105°，可以從各個角度觀察樣品。
支持分析
Prisma E的分析室支持對元素（EDX，WDS）和晶體學（EBSD）樣品數(shù)據(jù)的日益增長的需求，該分析室支持多個EDX檢測器以提高通量并清除陰影效應。此外，分析室支持共面EDX / EBSD和平行光束WDS，以確保所有技術的定位。得益于Prisma E的原位功能，即使在絕緣或高溫樣品上也能獲得可靠的分析結果。
光子學，地球科學，陶瓷，玻璃和故障分析應用的附加樣品信息來自的可伸縮RGB發(fā)光檢測器。
典型應用包括：
1、納米表征:
– 金屬及合金、斷口、焊點、拋光斷面、磁性及超導材料
– 陶瓷、復合材料、塑料
– 薄膜/涂層
– 地質樣品斷面、礦物
– 軟材料：聚合物、藥物、濾膜、凝膠、生物組織、植物材料
– 顆粒、多孔材料、纖維
2、原位表征:
– 結晶/相變
– 氧化反應、還原反應、催化反應
– 材料生長
– 水合/脫水/潤濕/接觸角分析
– 拉伸 (伴隨加熱或冷卻)
技術參數(shù)：
1、電子光學：
1）發(fā)射源：鎢燈絲（高性能電子光學鏡筒，雙陽熱發(fā)射電子槍）
2）固定式物鏡光闌，無需手動調整使用方便
3）加速電壓：200V – 30kV，自動256級偏壓設計
4）放大倍數(shù)：6x – 1,000,000×
5）有一路單獨抽真空系統(tǒng)，保證在低真空和環(huán)境模式下電子槍高真空和不受污染，延長燈絲壽命
6）使用工廠預對中燈絲更換方便
2、真空系統(tǒng)
1）1個250 l/s分子渦輪泵+1個機械泵
2）高真空模式：＜1×10-5 Pa
3）低真空模式：10 – 130 Pa
4）環(huán)境真空模式：10 – 2600 Pa
5）高真空模式下的換樣時間：≤150秒
6）低真空及環(huán)境真空模式下的換樣時間：≤270秒
3、電子束分辨率
A：高真空模式下成像
1）30 kV下3.0 nm （SE二次電子）
2）30 kV下4.0 nm （BSE背散射電子）
3）3 kV下8.0 nm （SE二次電子）
B：電子束減速下高真空模式下成像
1）7.0 nm @ 3 kV （電子束減速模式 + DBS）
C： 低真空模式下成像
1）3.0 nm @ 30 kV （SE二次電子）
2） 4.0 nm @ 30 kV （BSE背散射電子）
3）10 nm @ 3 kV (SE)
D：環(huán)境模式下成像
1）30 kV下3.0 nm （SE二次電子）
4、樣品倉
1）內寬：340 mm
2）分析工作距離：10 mm
3）端口：12
4）EDS 出射角：35°
5）可同時安裝三個 EDS 探測器，其中兩個處于 180°正對
6）共面 EDS/EBSD ，與樣品臺傾斜軸垂直
7）通用 9 針電氣接口
