TE2891 DV/DT試驗(yàn)測(cè)試系統(tǒng)簡(jiǎn)介
一．系統(tǒng)簡(jiǎn)述
TE2891 DV/DT試驗(yàn)測(cè)試系統(tǒng)一套集電容容量損耗測(cè)試、DV/DT值測(cè)試以及充放電試驗(yàn)于一體的多功能電容測(cè)試設(shè)備，采用高電壓、大電流電源，運(yùn)用的數(shù)據(jù)采集手段，不僅可以測(cè)量電容的DV/DT參數(shù)值，還能根據(jù)所得DV/DT值，設(shè)定沖放電試驗(yàn)電壓、電流、試驗(yàn)頻率、試驗(yàn)次數(shù)等，進(jìn)行符合電容國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)的電容脈沖試驗(yàn)。在試驗(yàn)過(guò)程中實(shí)時(shí)檢測(cè)被測(cè)電容表面溫升，自動(dòng)定期檢測(cè)被測(cè)電容容量及損耗并記錄相關(guān)數(shù)據(jù)，試驗(yàn)過(guò)程中檢測(cè)被測(cè)電容容量及損耗超差或DV/DT試驗(yàn)不合格將隨時(shí)中斷試驗(yàn)并記錄試驗(yàn)數(shù)據(jù)并給出測(cè)試報(bào)告。
二．系統(tǒng)功能描述
1、電容容量測(cè)試
測(cè)試電容容量、損耗等參數(shù)
2、電容DV/DT值測(cè)試
采用高電壓、大電流頻率較低方波電源，由于測(cè)量電容在單位時(shí)間內(nèi)上升的電壓值難以實(shí)現(xiàn)（要求電源功率較大，開關(guān)功率及速度難以實(shí)現(xiàn)），我們采用測(cè)量電容放電時(shí)的DV/DT值。通過(guò)示波器檢測(cè)電容器上的波形，由電腦系統(tǒng)分析并計(jì)算得該值，并打印出相應(yīng)充放電波形。
3、電容高頻沖放電試驗(yàn)
根據(jù)相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)，設(shè)定沖放電試驗(yàn)的試驗(yàn)電壓、電流、沖放電間隔時(shí)間（也即沖放電頻率）、沖放電次數(shù)后，系統(tǒng)會(huì)自動(dòng)進(jìn)行沖放電試驗(yàn)。本試驗(yàn)用于檢測(cè)該試件金屬化薄膜電容器元件在工藝流程中可能產(chǎn)生的缺陷，是金屬化薄膜電容器元件作沖擊試驗(yàn)用的主要設(shè)備。
4，被測(cè)電容表面溫升實(shí)時(shí)檢測(cè), 在試驗(yàn)過(guò)程按一定的時(shí)間間隔實(shí)時(shí)采樣電容器表面溫度
三．系統(tǒng)在試驗(yàn)過(guò)程中或結(jié)束時(shí)可實(shí)時(shí)記錄相關(guān)數(shù)據(jù)并給出檢測(cè)報(bào)告（電容表面溫升，電容容量及損耗，DV/DT值）
四，技術(shù)指標(biāo):
試驗(yàn)電壓： DC 0～1000V
DV/DT測(cè)試頻率：10HZ(100nF～5μf)
100HZ(1nF～100nF)
充放電試驗(yàn)頻率: 0.5KHZ、1KHZ、5KHZ三檔
充電電阻： 5Ω、30Ω、100Ω、300Ω、500Ω
放電電阻： 1Ω、2Ω、5Ω、10Ω、20Ω
不合格判別： 在測(cè)試脈沖周期內(nèi)低于試驗(yàn)電壓80%,經(jīng)放電后被自動(dòng)剔除。
實(shí)時(shí)檢測(cè)溫度： 0～100度
工作電源： AC220V±10％、50Hz±10％、消耗功率約 1000W
