X射線相關(guān)：瞬態(tài)輻射發(fā)光測(cè)量及成像測(cè)量。卓立漢光能夠提供基于X射線的穩(wěn)態(tài)發(fā)光光譜，熒光壽命，瞬態(tài)光譜以及X射線探測(cè)成像的相關(guān)測(cè)量方案。能夠提供全套涵蓋X射線激發(fā)源、光譜儀、穩(wěn)態(tài)及瞬態(tài)數(shù)據(jù)處理、成像測(cè)量（CMOS成像，單像素成像，TFT面陣成像）、輻射劑量表、輻射安全防護(hù)等，輻射防護(hù)防護(hù)滿足國(guó)標(biāo)《低能射線裝置放射防護(hù)標(biāo)準(zhǔn)》（GBZ115-2023）。

閃爍體的光譜、壽命、成像、光產(chǎn)額測(cè)量

產(chǎn)品概述

近年來(lái)，鈣鈦礦型閃爍體及鈣鈦礦型X射線直接探測(cè)器被廣泛研究及報(bào)道。在發(fā)光閃爍體層面，鈣鈦礦納米晶閃爍體通過(guò)溶液即可制得，成本極低，且具備全色彩可調(diào)諧輻射發(fā)光的特點(diǎn)。在直接探測(cè)層面，鉛鹵鈣鈦礦材料因其具備較大的原子序數(shù)、高吸收系數(shù)等優(yōu)點(diǎn)，在X射線直接探測(cè)領(lǐng)域同樣表現(xiàn)出非常優(yōu)異的性能。

卓立漢光能夠提供基于X射線的穩(wěn)態(tài)發(fā)光光譜，熒光壽命，瞬態(tài)光譜以及X射線探測(cè)成像的相關(guān)測(cè)量方案。能夠提供全套涵蓋X射線激發(fā)源、光譜儀、穩(wěn)態(tài)及瞬態(tài)數(shù)據(jù)處理、成像測(cè)量（CMOS成像，單像素成像，TFT面陣成像）、輻射劑量表、輻射安全防護(hù)等，輻射防護(hù)防護(hù)滿足國(guó)標(biāo)《低能射線裝置放射防護(hù)標(biāo)準(zhǔn)》（GBZ115-2023）。

如下陳述我們幾種測(cè)量方案及相關(guān)配置明細(xì)

(一) 穩(wěn)態(tài)光譜及熒光壽命采集

光產(chǎn)額測(cè)量方案

閃爍晶體的光產(chǎn)額（也稱(chēng)為光輸出或光子產(chǎn)額）是指晶體在受到電離輻射（如γ射線、X射線或粒子）激發(fā)后，發(fā)射光子（通常是可見(jiàn)光）的數(shù)量。光產(chǎn)額通常以每單位能量沉積產(chǎn)生的光子數(shù)來(lái)表示，單位可以是光子/MeV。

光產(chǎn)額是衡量閃爍晶體性能的重要參數(shù)之一，它是衡量閃爍體材料性能的重要指標(biāo)之一，也直接關(guān)系到該材料在實(shí)際應(yīng)用中的靈敏度和效率。常見(jiàn)的閃爍晶體包括碘*鈉（NaI），碘化銫（CsI），和氧化鑭摻鈰（LaBr3）等。不同的晶體材料會(huì)有不同的光產(chǎn)額，這取決于其發(fā)光機(jī)制、能帶結(jié)構(gòu)、以及材料的純度和缺陷等因素。研究閃爍體材料的光產(chǎn)額對(duì)于提高其性能、拓展其應(yīng)用具有重要的意義。

一些常見(jiàn)閃爍晶體的光產(chǎn)額值如下：

碘*鈉（NaI(Tl)）：約38,000 photons/MeV

氯化銫（CsI(Tl)）：約54,000 photons/MeV

氧化鈰摻雜的氧化鑭（LaBr3）：約63,000 photons/MeV

釔鋁石榴石摻雜鈰離子（YAG:Ce）：約14,000 photons/MeV

光產(chǎn)額越高，意味著該晶體能夠在相同的能量沉積條件下產(chǎn)生更多的光子，從而在探測(cè)器中生成更強(qiáng)的信號(hào)，通常也會(huì)導(dǎo)致更好的能量分辨率。

卓立漢光提供一整套包含同位素源、屏蔽鉛箱（被測(cè)器件及光路）、光電倍增管、高壓電源、閃爍體前置放大器、譜放大器、多道分析儀及測(cè)試軟件，實(shí)現(xiàn)閃爍體的光產(chǎn)額測(cè)量。