當(dāng)前位置:儀器網(wǎng) > 產(chǎn)品中心 > 化學(xué)分析儀器>其它化學(xué)分析儀器>其它通用分析儀器> Hysitron PI 85L用于SEM的納米壓痕儀
返回產(chǎn)品中心>Hysitron PI 85L用于SEM的納米壓痕儀
參考價 | 面議 |
- 公司名稱 武漢瑞德儀科技有限公司
- 品牌
- 型號
- 所在地 武漢市
- 廠商性質(zhì) 其他
- 更新時間 2024/9/27 14:10:51
- 訪問次數(shù) 23
當(dāng)前位置:儀器網(wǎng) > 產(chǎn)品中心 > 化學(xué)分析儀器>其它化學(xué)分析儀器>其它通用分析儀器> Hysitron PI 85L用于SEM的納米壓痕儀
返回產(chǎn)品中心>參考價 | 面議 |
用于SEM的納米壓痕儀----深度傳感的納米力學(xué)測試儀器,可與掃描電子顯微鏡(SEM)聯(lián)用,原位納米力學(xué)測試儀器
Hysitron PI 85L
布魯克的SEM PicoIndenter系列是深度感應(yīng)的納米力學(xué)測試系統(tǒng),專門設(shè)計用于與掃描電子顯微鏡(SEM、FIB/SEM)的高級成像能力聯(lián)用。有了這些系統(tǒng),可以進(jìn)行定量納米力學(xué)測試,同時使用SEM進(jìn)行成像。Hysitron PI 85L SEM PicoIndenter 是一款專用的原位納米力學(xué)測試儀器,專為 SEM 使用而設(shè)計,但也適用于各種平臺和環(huán)境。該儀器采用布魯克電容式傳感器與極快的 78 kHz 控制系統(tǒng)配合使用,在納米尺度下提供的性能和穩(wěn)定性。緊湊的小尺寸設(shè)計使該系統(tǒng)非常適合腔體、拉曼和光學(xué)顯微鏡、同步輻射光束線等。
一、亮點(diǎn)
1)------性能、穩(wěn)定性和控制
提供超低噪音水平、極快的反饋控制和專有的 Q 控制軟件,用于主動抑制振動。
2)多功能------原位力學(xué)測試平臺
支持各種幾何尺寸樣品的的力學(xué)測試模式、多種控制模式和可更換壓頭。
3)緊湊------緊湊設(shè)計
為小腔室 SEM、拉曼和光學(xué)顯微鏡、光束線等提供易于安裝的理想系統(tǒng)。
二、特點(diǎn)
1)專為高性能和多功能性而設(shè)計
Hysitron PI 85L 的樣品臺設(shè)計能容納厚度達(dá) 10 mm 的樣品,同時提供三個方向 (XYZ) 3 mm 范圍的精確樣品定位。此外,樣品和傳感器的機(jī)械耦合為納米力學(xué)測試提供了一個穩(wěn)定、剛性的平臺。總之,這種設(shè)計可實(shí)現(xiàn)的傾斜度和最小工作距離,在測試期間實(shí)現(xiàn)成像效果。
2)與 SEM 成像同步的原位力學(xué)數(shù)據(jù)
使用 Hysitron PI 85L 采集的原位力學(xué)數(shù)據(jù)與 SEM 成像同步,且并排顯示。同時進(jìn)行機(jī)械測量和SEM成像可全面了解材料變形行為。
3)精確使用各種模式探索材料變形行為
Hysitron PI 85L 可采用多種不同模式,在各種不同樣品中測試基本力學(xué)性能、應(yīng)力應(yīng)變行為、剛度、斷裂韌性和變形機(jī)制。
除了標(biāo)準(zhǔn)的測試模式外,PI 85L 還可以升級,并可使用可選模式進(jìn)一步擴(kuò)展其功能。從加熱選項到電特性,PI 85L 可根據(jù)您的需求進(jìn)行調(diào)整。
三、附件
提供泛的創(chuàng)新表征技術(shù)------選項和附件
1) SEM 和 TEM 加熱臺------直接測量和觀察熱導(dǎo)致的材料轉(zhuǎn)化;
2) 納米動力學(xué)模式------施加振蕩力,持續(xù)測量粘彈性和疲勞特性,作為接觸深度、頻率和時間的函數(shù)
3)電學(xué)特性模塊(ECM)------在納米壓痕、壓縮或拉伸加載期間同時進(jìn)行原位電特性測量
4)壓轉(zhuǎn)拉模塊(PTP)------專為納米線和獨(dú)立薄膜而設(shè)計
四、相關(guān)圖片
1)經(jīng)過如圖所示的力學(xué)測試后,在Cu互聯(lián)層和脆電介質(zhì)層之間觀察到面間分層
2)高熵合金三個不同結(jié)構(gòu)微區(qū)的納米壓痕成像和對應(yīng)的載荷-位移曲線(僅顯示低載荷部分)
3)在室溫(左上)和 800℃(右上)環(huán)境中粘結(jié)涂層柱子壓縮后的形貌。在室溫下測試的柱子中可以清楚地看到穿晶破裂,而在高溫下才出現(xiàn)晶間破裂。應(yīng)力應(yīng)變曲線(下圖)表明在室溫下有較大的應(yīng)變硬化,而在較高的溫度下更為有限
4)金屬薄膜 1 Hz 動態(tài)載荷測試中應(yīng)用的載荷振幅(紅色)和總位移(藍(lán)色)的圖示
5)壓縮VLS法生長的n型摻雜的硅納米柱時的電學(xué)表征。 D.D. Stauffer 博士論文,“納米級脆性材料的變形機(jī)理”,明尼蘇達(dá)大學(xué)(2011),第 150-152 頁
6)加載/卸載與位移的曲線(左),以及 PTP 裝置偏轉(zhuǎn)下位移和加載與時間的曲線(右)。其中線性彈性行進(jìn)距離大于 4 μm
*您想獲取產(chǎn)品的資料:
個人信息: