SOI硅基單片集成 11bit 可調(diào)光延遲線芯片單片集成多比特光時(shí)延芯片基于厚膜SOI 硅光子技術(shù)，是目前綜合性能和集成度最高的光時(shí)延器產(chǎn)品。采用二進(jìn)制多級時(shí)延回路結(jié)構(gòu)，芯片集成時(shí)延切換開關(guān)和包含了均衡和雜波抑制衰減器的延遲光波導(dǎo)回路，延時(shí)切換時(shí)間達(dá)到 200ns 以下，最大總時(shí)延量 1022ps；延時(shí)精度 0.5ps，片內(nèi)單級延時(shí)損耗低至 0.8dB/bit。

SOI硅基單片集成 11bit 可調(diào)光延遲線芯片

    SOI硅基單片集成 11bit 可調(diào)光延遲線芯片單片集成多比特光時(shí)延芯片基于厚膜SOI 硅光子技術(shù)，是目前綜合性能和集成度最高的光時(shí)延器產(chǎn)品。采用二進(jìn)制多級時(shí)延回路結(jié)構(gòu)，芯片集成時(shí)延切換開關(guān)和包含了均衡和雜波抑制衰減器的延遲光波導(dǎo)回路，延時(shí)切換時(shí)間達(dá)到 200ns 以下，最大總時(shí)延量 1022ps；延時(shí)精度 0.5ps，片內(nèi)單級延時(shí)損耗低至 0.8dB/bit。

。相比于傳統(tǒng)采用微波傳輸線的電時(shí)延芯片，光時(shí)延器可以適用任意的微波和毫米波頻段，具有極低的串?dāng)_和非目標(biāo)時(shí)延信號消光比。最大時(shí)延 1ns 的 9bit 可調(diào)光延時(shí)芯片尺寸小至 2cm×1.5cm，大幅度減小系統(tǒng)體積；由于光載波頻率相對于微波信號大至 4 個(gè)數(shù)量級的頻率比，光子集成的時(shí)延器芯片具有覆蓋從米波到毫米波全頻段的信號處理能力，適合各類超寬帶相控陣的波束合成應(yīng)用。

硅基11位可調(diào)光延遲線參數(shù)如下：