美國(guó)SOC公司ET100發(fā)射率測(cè)量?jī)x采用積分球反射方法設(shè)計(jì)，內(nèi)置積分球、紅外光源、微型控制處理器等，采用電池供電、觸摸屏顯示，具有使用方便、準(zhǔn)確性高等優(yōu)點(diǎn)。進(jìn)行測(cè)量時(shí)，只需將儀器對(duì)準(zhǔn)物體表面，扣動(dòng)扳機(jī)后，自動(dòng)進(jìn)行反射率測(cè)量，測(cè)量完成后，會(huì)在顯示屏上顯示測(cè)量結(jié)果，同時(shí)將測(cè)量的反射率數(shù)據(jù)自動(dòng)存儲(chǔ)在SD卡內(nèi)，可供用戶后續(xù)處理和分析數(shù)據(jù)，測(cè)量一次的時(shí)間只需要7秒鐘。隨機(jī)配備鏡面金質(zhì)標(biāo)樣，并可提供NIST可溯源標(biāo)定。

美國(guó)SOC公司ET100發(fā)射率測(cè)量?jī)x采用積分球反射方法設(shè)計(jì)，內(nèi)置積分球、紅外光源、微型控制處理器等，采用電池供電、觸摸屏顯示，具有使用方便、準(zhǔn)確性高等優(yōu)點(diǎn)。進(jìn)行測(cè)量時(shí)，只需將儀器對(duì)準(zhǔn)物體表面，扣動(dòng)扳機(jī)后，自動(dòng)進(jìn)行反射率測(cè)量，測(cè)量完成后，會(huì)在顯示屏上顯示測(cè)量結(jié)果，同時(shí)將測(cè)量的反射率數(shù)據(jù)自動(dòng)存儲(chǔ)在SD卡內(nèi)，可供用戶后續(xù)處理和分析數(shù)據(jù)，測(cè)量一次的時(shí)間只需要7秒鐘。隨機(jī)配備鏡面金質(zhì)標(biāo)樣，并可提供NIST可溯源標(biāo)定。
ET100發(fā)射率測(cè)量?jī)x可以測(cè)量20度和60度2個(gè)入射角，6個(gè)光譜波段的反射率和波段總發(fā)射率。

ET100發(fā)射率測(cè)量?jī)x可以實(shí)現(xiàn)在實(shí)驗(yàn)室以及野外現(xiàn)場(chǎng)精確地測(cè)量和研究材料表面的光學(xué)特征——反射率、發(fā)射率等參數(shù)。

應(yīng)用領(lǐng)域

航空工業(yè)
涂層領(lǐng)域
太陽(yáng)能領(lǐng)域優(yōu)化太陽(yáng)能利用性能
節(jié)能建筑
光學(xué)材料質(zhì)量控制

產(chǎn)品特點(diǎn)
測(cè)量2個(gè)入射角、1.5~21μm之間6個(gè)非連續(xù)波段的反射系數(shù)
NIST標(biāo)準(zhǔn)
快速、便攜
電池操作非常方便
測(cè)量標(biāo)準(zhǔn)和60°入射角的定向熱發(fā)射比
計(jì)算半球熱發(fā)射比

技術(shù)參數(shù)
符合標(biāo)準(zhǔn) ASTM E408
測(cè)量參數(shù) 定向半球反射比(DHR)
測(cè)量方法 波段范圍內(nèi)積分總反射比
輸出參數(shù) 總發(fā)射比
波段 6個(gè)波段：1.5~2、2~3.5、3~4、4~5、5~10.5、10.5~21μm
入射角 20°&60°法線入射
樣品表面 任何表面，6”半徑凸面，12”半徑凹面
測(cè)量時(shí)間 10秒/次；90秒預(yù)熱
IR源 鉻鋁鈷合金
測(cè)量探頭 模塊化設(shè)計(jì)，測(cè)量頭可更換
操作界面 觸摸式液晶屏軟件界面
工作環(huán)境 儲(chǔ)存環(huán)境：-25~70℃；操作環(huán)境：0~40℃，非冷凝
供電 兩塊可充電鎳氫電池
重量 2.1Kg，含電池