普賽斯儀表高功率半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備三代半測(cè)試機(jī)是一款能夠提供IV、 CV、跨導(dǎo)等豐富功能的綜合測(cè)試系統(tǒng)，具有高精度、寬測(cè)量范圍、模塊化設(shè)計(jì)、輕松升級(jí)擴(kuò)展等優(yōu)勢(shì)

隨著行業(yè)技術(shù)革新和新材料性能發(fā)展，功率半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)朝復(fù)雜化演進(jìn)，功率半導(dǎo)體的村底材料朝大尺寸和新材料方向發(fā)展。以SiC(碳化硅)、GaN(氮化鎵)為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料迅速發(fā)展，它們通常具有高擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率、高遷移率、高飽和電子速度、高電子密度、高溫穩(wěn)定性以及可承受大功率等特點(diǎn)，使其在光電器件、電力電子、射頻微波器件、激光器和探測(cè)器等方面展現(xiàn)出巨大的潛力。SiC(碳化硅)和GaN(氮化鎵)電力電子器件也逐漸成為功率半導(dǎo)體器件的重要發(fā)展領(lǐng)城。另外，由于不同結(jié)構(gòu)和不同襯底材料的功奉半導(dǎo)體電學(xué)性能和成本各有差異，在不同應(yīng)用場(chǎng)景各具優(yōu)勢(shì)。如何精確表征功率器件高流/高壓下的I-V曲線或其它靜態(tài)特性，這就對(duì)器件的測(cè)試工具提出更為嚴(yán)苛的挑戰(zhàn)，主要表現(xiàn)在以下方面：

測(cè)量精度方面
高流高壓精確測(cè)量：隨著寬禁帶半導(dǎo)體器件SiC（碳化硅）或GaN（氮化鎵）等的發(fā)展，其工作在高電壓、大電流條件下，擴(kuò)展了高壓、高速的分布區(qū)間。傳統(tǒng)測(cè)量技術(shù)或儀器難以精確表征功率器件高流/高壓下的I-V曲線或其它靜態(tài)特性，對(duì)測(cè)試工具提出了更高要求，需要具備高電壓和大電流特性、μΩ級(jí)導(dǎo)通電阻精確測(cè)量、納安級(jí)電流測(cè)量能力等。
噪聲抑制：在高精度測(cè)量時(shí)，外界電磁干擾、測(cè)試系統(tǒng)內(nèi)部的噪聲等會(huì)影響測(cè)量結(jié)果的準(zhǔn)確性。例如，微弱的柵極漏電流測(cè)量，容易受到噪聲干擾，需要采取有效的噪聲抑制措施，如良好的電磁屏蔽、濾波等。
溫度影響：功率器件的參數(shù)受溫度影響較大，如閾值電壓、導(dǎo)通電阻等。要精確測(cè)量靜態(tài)參數(shù)，需要在不同溫度下進(jìn)行測(cè)試，這就要求測(cè)試系統(tǒng)具備高精度的溫度控制模塊，且溫度控制要穩(wěn)定，以確保測(cè)試結(jié)果的一致性和可重復(fù)性。

器件特性方面
閾值電壓漂移：對(duì)于SiC MOSFET等器件，其閾值電壓具有不穩(wěn)定性，在測(cè)試過程中會(huì)有明顯漂移，電性能測(cè)試以及高溫柵偏試驗(yàn)后的電測(cè)試結(jié)果嚴(yán)重依賴于測(cè)試條件。掃描模式也會(huì)對(duì)閾值電壓漂移產(chǎn)生影響，增加了準(zhǔn)確測(cè)量閾值電壓的難度。
新型器件特性復(fù)雜：第三代寬禁帶半導(dǎo)體器件如SiC、GaN 等，具有與傳統(tǒng) Si 基器件不同的特性。例如，GaN HEMT器件存在陷阱效應(yīng)和自熱效應(yīng)，陷阱效應(yīng)會(huì)引起柵和漏滯后效應(yīng)，自熱效應(yīng)體現(xiàn)在脈寬對(duì)器件測(cè)試的影響，這使得測(cè)試和建模工作更加復(fù)雜。

測(cè)試效率方面
并聯(lián)應(yīng)用與量產(chǎn)需求：在實(shí)際應(yīng)用中，功率器件常采用并聯(lián)方式，這要求測(cè)試精度提高以確保器件的一致性。同時(shí)，終端市場(chǎng)需求量大，對(duì)于量產(chǎn)階段的測(cè)試，需要提高測(cè)試效率，提升單位時(shí)間產(chǎn)出（UPH），這對(duì)測(cè)試系統(tǒng)的自動(dòng)化程度、測(cè)試速度等提出了更高要求。

測(cè)試系統(tǒng)設(shè)計(jì)方面
高壓與低壓隔離：測(cè)試系統(tǒng)中存在高壓和低壓部分，需要進(jìn)行有效的隔離，避免噪聲干擾，確保測(cè)量精度。PCB設(shè)計(jì)時(shí)要合理規(guī)劃布局，采用合適的隔離技術(shù)和材料。
保護(hù)電路設(shè)計(jì)：功率器件測(cè)試過程中，可能會(huì)出現(xiàn)過壓、過流等情況，容易損壞被測(cè)器件或測(cè)試系統(tǒng)。因此，需要設(shè)計(jì)可靠的保護(hù)電路，如TVS二極管、過壓過流保護(hù)電路等，并實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)電流/電壓，超線時(shí)立即切斷電源并保存故障日志。

測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)與規(guī)范方面
行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)差異：不同的應(yīng)用領(lǐng)域和行業(yè)可能有不同的測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)和規(guī)范，如JEDEC標(biāo)準(zhǔn)等。測(cè)試系統(tǒng)需要參考并符合相關(guān)的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，以確保測(cè)試結(jié)果的可比性和可靠性。對(duì)于新型功率器件，相關(guān)的測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)可能還在不斷完善和發(fā)展中，這也給測(cè)試帶來了一定的不確定性。
定制化需求：不同用戶可能有不同的測(cè)試需求和特殊要求，例如針對(duì)特定應(yīng)用場(chǎng)景的測(cè)試參數(shù)調(diào)整、測(cè)試報(bào)告格式定制等。測(cè)試系統(tǒng)需要具備一定的靈活性和可擴(kuò)展性，以滿足用戶的定制化需求。

圍繞第三代寬禁帶半導(dǎo)體靜態(tài)參數(shù)測(cè)試中的常見問題，如掃描模式對(duì)SiC MOSFET閾值電壓漂移的影響、溫度及脈寬對(duì)SiC MOSFET導(dǎo)通電阻的影響、等效電阻及等效電感對(duì)SiC MOSFET導(dǎo)通壓降測(cè)試的影響、線路等效電容對(duì)SiC MOSFET測(cè)試的影響等多個(gè)維度，針對(duì)測(cè)試中存在的測(cè)不準(zhǔn)、測(cè)不全、可靠性以及效率低的問題，普賽斯儀表提供一種基于國(guó)產(chǎn)化高精度數(shù)字源表(SMU)的測(cè)試方案，具備更優(yōu)的測(cè)試能力、更準(zhǔn)確的測(cè)量結(jié)果、更高的可靠性與更全面的測(cè)試能力。具有高電壓和大電流特性、μΩ級(jí)導(dǎo)通電阻精確測(cè)量、納安級(jí)電流測(cè)量能力等特點(diǎn)。支持高壓模式下測(cè)量功率器件結(jié)電容，如輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容等。

更多有關(guān)高功率半導(dǎo)體檢測(cè)設(shè)備三代半測(cè)試機(jī)的詳情上普賽斯儀表官&網(wǎng)咨詢，目前，武漢普賽斯儀表有限公司的產(chǎn)品已經(jīng)覆蓋了10pA-6000A、300mV-10KV的電壓電流范圍，并在多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)出覺對(duì)優(yōu)勢(shì)。特別是在聚焦SiC/IGBT/GaN第三代半導(dǎo)體的電源及測(cè)試需求方面，我司在8000V、1000A以上量程及測(cè)試性能均處于覺對(duì)優(yōu)勢(shì)地位。此外，在大功率激光器測(cè)試、PD、APD、SPAD、SIPM晶圓測(cè)試及老化電源市場(chǎng)，普賽斯儀表的產(chǎn)品也能夠滿足絕大多數(shù)應(yīng)用場(chǎng)景的需求。