普賽斯儀表專(zhuān)業(yè)研究和開(kāi)發(fā)半導(dǎo)體材料與器件測(cè)試的專(zhuān)業(yè)智能裝備，產(chǎn)品覆蓋半導(dǎo)體領(lǐng)域從晶圓到器件生產(chǎn)全產(chǎn)業(yè)鏈。推出基于高精度數(shù)字源表(SMU）的第三代半導(dǎo)體功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試方案，為SiC和GaN器件提供可靠的測(cè)試手段，實(shí)現(xiàn)功率半導(dǎo)體器件靜態(tài)參數(shù)的高精度、高效率測(cè)量和分析。更多有關(guān)分立器件來(lái)料檢測(cè)儀iv|cv曲線分析儀詳情上普賽斯儀表咨詢(xún)
產(chǎn)品特點(diǎn)：
30μV-1200V；1pA-100A寬量程測(cè)試能力；
測(cè)量精度高，全量程下可達(dá)0.03%精度；
內(nèi)置標(biāo)準(zhǔn)器件測(cè)試程序，直接調(diào)用測(cè)試簡(jiǎn)便；
自動(dòng)實(shí)時(shí)參數(shù)提取，數(shù)據(jù)繪圖、分析函數(shù)；
在CV和IV測(cè)量之間快速切換而無(wú)需重新布線；
提供靈活的夾具定制方案，兼容性強(qiáng)；
免費(fèi)提供上位機(jī)軟件及SCPI指令集；
典型應(yīng)用：
納米、柔性等材料特性分析；
二極管；
MOSFET、BJT、晶體管、IGBT；
第三代半導(dǎo)體材料/器件；
有機(jī)OFET器件；
LED、OLED、光電器件；
半導(dǎo)體電阻式等傳感器；
EEL、VCSEL、PD、APD等激光二極管；
電阻率系數(shù)和霍爾效應(yīng)測(cè)量；
太陽(yáng)能電池；
非易失性存儲(chǔ)設(shè)備；
失效分析；
系統(tǒng)技術(shù)規(guī)格
訂貨信息
硬件指標(biāo)-IV測(cè)試
半導(dǎo)體材料以及器件的參數(shù)表征，往往包括電特性參數(shù)測(cè)試。絕大多數(shù)半導(dǎo)體材料以及器件的參數(shù)測(cè)試，都包括電流-電壓(I-V)測(cè)量。源測(cè)量單元(SMU)，具有四象限，多量程，支持
四線測(cè)量等功能，可用于輸出與檢測(cè)高精度、微弱電信號(hào)，是半導(dǎo)體|-V特性測(cè)試的重要工具之-。SPA-6100配置有多種不同規(guī)格的SMU,如低壓直流SMU,低壓脈沖SMU,大電流SMU。用戶(hù)可根據(jù)測(cè)試需求靈活配置不同規(guī)格,以及不同數(shù)量的搭配，實(shí)現(xiàn)測(cè)試測(cè)試效率與開(kāi)支的平衡。
靈活可定制化的夾具方案
針對(duì)市面上不同封裝類(lèi)型的半導(dǎo)體器件產(chǎn)品,普賽斯提供整套夾具解決方案。夾具具有低阻抗、安裝簡(jiǎn)單、種類(lèi)豐富等特點(diǎn)，可
用于二極管、三極管、場(chǎng)效應(yīng)晶體管、IGBT、SiC MOS、GaN等單管，模組類(lèi)產(chǎn)品的測(cè)試;也可與探針臺(tái)連接，實(shí)現(xiàn)晶圓級(jí)芯片
測(cè)試。
探針臺(tái)連接示意圖
