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硅酸根測(cè)定儀校準(zhǔn)項(xiàng)目
(1)外觀檢查；(2)絕緣電阻(首檢)；(3)分析儀示值誤差；(4)分析儀重復(fù)性；(5)分析儀零點(diǎn)漂移；(6)分析儀量程漂移
硅酸根測(cè)定儀校準(zhǔn)的項(xiàng)目指標(biāo)
(1)示值誤差校準(zhǔn)(用引用誤差)
在SiO2含量為0~50 u g / mL的范圍內(nèi)，示值誤差不大于其量程的2.0%在SiO2含量為0~200 u g / mL的范圍內(nèi)，示值誤差不大于其量程的2.5%。
(2)分析儀重復(fù)性的校準(zhǔn)(用多次測(cè)量的標(biāo)準(zhǔn)偏差表示)分析儀重復(fù)性測(cè)量的標(biāo)準(zhǔn)偏差不大于1.5%。
(3)分析儀零點(diǎn)漂移的校準(zhǔn)：在15min內(nèi)應(yīng)不超過(guò)1.0 u g / mL。
(4)分析儀量程漂移的校準(zhǔn)：在15min內(nèi)應(yīng)不超過(guò)2.0 u g / mL。
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第四屆全國(guó)光譜大會(huì)
展會(huì)城市：株洲市展會(huì)時(shí)間：2025-05-08