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簡介：RIE反應離子刻蝕機NRE-3500（A）全自動RIE反應離子刻蝕機概述：獨立式RIE反應離子刻蝕系統(tǒng)，淋浴頭氣體分布裝置以及水冷RF樣品.具有不銹鋼柜子以及13的上蓋式圓柱形鋁腔,便于晶圓片裝載...

簡介：這款蝕刻和清潔系統(tǒng)專為滿足當今晶圓、光掩模和基板的前沿應用的特殊工藝需求而設計。

簡介：LaserMBELaserMBE特點模塊化概念，LaserMBE可以輕松升級到傳輸模塊或其他模塊UHVPLD主腔室、利用Load-lock實現(xiàn)襯底和靶材的UHV傳輸的工藝自動化功能，可實現(xiàn)超晶格生...

簡介：用于沉積納米級薄膜、納米粉末包覆、長深孔樣品鍍膜;具有Thermal-ALD、PEALD、Particle-ALD和生產型ALD;具備近100種膜層工藝。應用領域：芯片封裝、半導體High-k介電...

簡介：上海伯東代理美國進口KRI考夫曼離子源KDC100中型規(guī)格柵極離子源,廣泛加裝在薄膜沉積大批量生產設備中,考夫曼離子源KDC100采用雙陰極燈絲和自對準柵極,標準配置下離子能量范圍100至1200...

簡介：上海伯東代理美國進口KRI考夫曼離子源KDC160是目前考夫曼KDC系列zui大,離子能量zui強的柵極離子源,適用于已知的所有離子源應用,離子源KDC160高輸出設計,zui大電流超過1000m...

簡介：上海伯東代理美國進口KRI霍爾離子源eH200是霍爾離子源型eH系列中尺寸最小,低成本設計離子源.霍爾離子源eH200適用于小型真空腔內,例如研發(fā)分析,薄膜沉積和離子清洗.霍爾離子源eH200操作...

簡介：上海伯東代理美國進口KRI線性離子源使用eH400做為模組,能應用于寬范圍的襯底,離子源長度高達1米,通過嚴格調整模組間的距離可以實現(xiàn)更佳的均勻性和離子流.由于模組是平行放置,大大簡化了氣體,功率...